宽禁带半导体是指具有宽禁带能隙的半导体材料,例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。由于其能够承受高电压、高温和高功率密度等特性,宽禁带半导体在领域中具有广泛应用前景。
根据市场调研机构的数据,宽禁带半导体市场的全球规模预计将从2020年的27.6亿美元增长到2027年的86.5亿美元,年复合增长率达到17.5%。其中,碳化硅(SiC)半导体市场规模较大,占据了市场份额的大部分,而氮化镓(GaN)市场规模也在逐年增长。预计未来几年,随着新能源汽车的普及和5G基础设施建设的加速推进,宽禁带半导体市场将持续保持高速增长。
经过连续6年在德国慕尼黑和中国深圳的成功举办,Bodo’s宽禁带半导体论坛已成为宽禁带半导体领域的年度专家会议。论坛旨在邀请全球学术和工业领域的专家学者和企业家齐聚一堂,分享最新的研究进展和商业应用案例,促进企业合作和技术交流。本次论坛将涵盖宽禁带半导体的材料、设备和器件设计等方面的内容,同时探讨如何将宽禁带半导体技术转化为商业化产品并推动其产业化。
近年来,以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带功率半导体在中国电力电子市场快速发展,成为行业研发和产业化应用的重中之重。
为了打造更好的技术交流平台,我们将于今年10月12日在深圳国际会展中心(宝安新馆)举办Bodo’s宽禁带半导体论坛活动。同期还有深圳电子元器件及物料采购展览会ES SHOW 2023、NEPCON亚洲电子生产设备暨微电子工业展览会、S-FACTORY EXPO智能工厂及自动化技术展览会、汽车电子技术展览会、2023半导体封装技术展等多个活动。参与其中,与会者将全方位了解上下游产业链最新发展趋势,分享行业内的最佳实践,探讨未来发展方向,共同促进宽禁带半导体市场的健康快速发展。
期待此次活动的圆满成功!
Bodo Arlt
执行主编
Bodo’s功率系统杂志